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内存条时序高好还是低 专业知识看大师普及

未知

对于装机选购电脑内存的时候,更多的用户只关注内存品牌、内存容量、内存频率,而只有少部分人会关心内存时序,其实内存时序也是内存的其中一项参数,但是不少用户对电脑内存时序是什么意思不太了解,更不知道内存时序高好还是低好,下面装机100网(www.zuzhuang100.com)就来给大家科普一下关于内存时序的基础知识。
内存条时序高好还是低 专业知识看大师普及
内存时序是什么意思?
 
内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中,简称为CL值,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。内存时序通常被写为破折号分隔开的四组数字,例如下图的内存铭牌上标注的“16-18-18-38”就代表内存时序。当然也有的内存只标注前三个数字的,还有些标注五个数字,即Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。反映的都是内存不同工作环节当中的延迟时间,数值越低意味着性能越好,而真正决定平台性能水平的延迟时间单位是纳秒(ns,nanosecond)。
内存时序是什么意思?
内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,它们的含义依次为:
 
CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;
 
RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间;
 
RAS Precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间;
 
Row Active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。
 
这是购买内存最需要关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。
 
需要了解内存条时序的朋友注意了,我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。
 
1.CL:列寻址所需的时钟周期(表示延迟的长短)
 
确实是同频率下,CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高,CL值也越来越大,但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大,内存条的CL延迟就越大,内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大,相反说明CL越大,能上去的频率越高。
 
我们来计算一下DDR1~4的CL延迟时间:乘2的原因是DDR内存一个时钟周期内传输两次数据,可以看做基数是2
 
DDR-400 3-3-3-8:3*2/400=15 ns
 
DDR2-800 6-6-6-18:6*2/800=15 ns
 
DDR3-1333 9-9-9-24:9*2/1333=13.5 ns
 
DDR4-2133 15-15-15-35:15*2/2133=14 ns
 
我们再来算算Crucial内存条的CL延迟时间(样本选用8G内存条):
 
DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns
 
 
根据上面的计算,可以看出其实CL延迟时间差距不大,之所以每代产品性能比上代要好,是因为频率的提高,也就是说CL值接近时,内存频率越高性能越好,而在进行超频时,如果可以调高CL,就可以获得更高的频率。
 
2.tRCD:行寻址和列寻址时钟周期的差值。
 
tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率,而如果不能加大电压和放宽CL值,那么就只能把tRCD值增大。现在的DDR4一般的1.2V,想要CL值好看,还想要内存条能超频到更高,那就加大tRCD咯,还想要灯光效果,那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差,相反代表内存条可以超到一个很高的频率。
 
3.tRP:在下一周期之前,预充电需要的时钟周期。
 
虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大,但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率,正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。
 
4.tRAS:对某行的数据进行存储时,从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。
此操作并不会频繁发生,只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失,太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大,一般可以稍微放宽tRAS值。
 
不知道大家有没有注意,凡是OC内存条(超频厉害的内存条),灯条,它们的tRCD、tRP、tRAS一般都比较大。要超频厉害,要灯光效果,还要保持很好的兼容性,必须适当的调节时序。
 
内存时序高好还是低好?
 
内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。
 
内存时序是什么意思 内存时序高好还是低好?
 
首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。
 
一般来说,在保证系统稳定性以及同频率的前提下,时序越低,性能越好。
总的来说,时序是决定内存性能的一个参数,但并不是说时序越低,性能就一定越好,它还与内存容量、频率有关。只能说,在相同容量和频率下的两条内存,时序越低,性能就越好。

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